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元件参数资料
>
参数目录43313
> RZQ050P01TR MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
型号:
RZQ050P01TR
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Rohm Semiconductor
描述:
MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
RZQ050P01TR PDF
产品目录绘图
TSMT-6 Package Top
特色产品
ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装
3,000
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
26 毫欧 @ 5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
35nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2850pF @ 6V
功率 - 最大
1.25W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装
TSMT6
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1639 (CN2011-ZH PDF)
查看RZQ050P01TR代理商
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相关参数
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1739
JKL Components Corp. LAMP INCAND 5MM WIRE TERM 6.3V
MG-1000-B-9V-R
SSI Technologies Inc SENSOR 1000 PSI 1/8 NPT 9V
P1TX6B-SX51V-02A-DC
Omron Electronics Inc-EMC Div MODULE FIBER OPTIC XMIT 6.6GB
AOD442
Alpha & Omega Semiconductor Inc MOSFET N-CH 60V 38A TO-252
BSZ900N20NS3 G
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1251
JKL Components Corp. LAMP INCAND G-6 BAYONET 28V
P1TX4C-SX4D-01MM-DC
Omron Electronics Inc-EMC Div MODULE FIBER OPTIC XMIT 14GB
KT2520Y40000ECV28TBA
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MG-750-B-9V-R
SSI Technologies Inc SENSOR 750 PSI 1/8 NPT 9V
BSZ900N20NS3 G
Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
P1TX4C-SX4V-01MM-DC
Omron Electronics Inc-EMC Div MODULE FIBER OPTIC XMIT, 6.6GB
1003
JKL Components Corp. LAMP INCAND B6 SGL BAYONET 12.8V
PLT133/T9
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MG-300-B-9V-R
SSI Technologies Inc SENSOR 300 PSI 1/8 NPT 9V
8021500000
Weidmuller OVP PU4 C 230/350 VAC
0011404768
Molex Inc 8369-16 CONDUCTOR ANVIL
MG-200-B-9V-R
SSI Technologies Inc SENSOR 200 PSI 1/8 NPT 9V
737
JKL Components Corp. LAMP INCAND T1.25 SPEC FLANG 28V
PLT133/T
Everlight Electronics Co Ltd TRANSMITTER FBR OPT IR PHOTOLINK